ZANONI ENRICO

Enrico Zanoni, nato a Legnago (Verona) nel 1956 si è laureato con lode in Fisica nel 1982 all'Università di Modena. Ricercatore universitario all'Università di Bari nel 1985, professore associato all'università di Padova nel 1992, professore straordinario nel 1993 all'Università di Padova, professore ordinario all'Università di Modena nel 1996. Dal 1997 è ordinario di Microelettronica al Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione dell'Univ. di Padova. Coautore di circa 450 lavori scientifici pubblicati su riviste internazionali o in atti di conferenze internazionali con referee. Coeditor del libro "Flash Memories", con P. Cappelletti, C. Golla, P. Olivo, Kluwer 1999. Coautore di circa 30 invited papers a conferenze internazionali. La banca dati ISI Web of Science riporta 157 suoi lavori nel periodo 1986-2010, citati 810 volte (senza le autocitazioni) in letteratura, con un indice di Hirsch (h-index) pari a 20. Ha fatto parte dei comitati tecnici di IEDM 1995-1996, 2008-2009, ESSDERC 97-98, 2000, ESREF 1996, 2000, 2004; ha fatto parte dell' editorial board di Microelectronics Reliability.

Attività di ricerca

1981-1984 Studio della stabilità e delle proprietà elettriche della metallizzazione Schottky Al/Ti-W/PtSi per circuiti integrati bipolari TTL e degli effetti di elettromigrazione nei circuiti ECL

1984-1990 Studio dell'affidabilità e dei fenomeni da elettroni caldi in GaAs MESFETs (con Telettra e Selenia, ora Alenia Marconi Systems). Identificazione del meccanismo di guasto noto come "gate sinking", e degli effetti di elettromigrazione nei gate in Al dei MESFET di potenza.

1985-1991 Studio del latch-up in CMOS . Sviluppo di tecniche di microscopia (ad emissione, contrasto di tensione e corrente indotta dal fascio elettronico, EBIC nel microscopio elettronico a scansione, SEM) per la localizzazione degli elementi parassiti attivi.

1987-1990 Studio dell'affidabilità dei componenti elettronici per applicazioni automobilistiche nell'ambito del progetto europeo EUREKA "PROMETHEUS"

1990-1992 Sviluppo di tecniche di analisi guasto basate su fascio ottico (scansione laser); applicazione allo studio degli effetti dovuti a ESD sui MOS per alta tensione (con ST Microelectronics)

1990-1996 Studio degli effetti dovuti a portatori caldi e alla presenza di stati trappola nei GaAs MESFETs e HEMTs. Sviluppo di tecniche di analisi spettroscopica dell'elettroluminescenza e di misura della corrente di gate per la caratterizzazione degli elettroni caldi. Prima osservazione della degaradzione indotta da elettroni caldi in FET su GaAs. Best paper award di ESREF 1992 (con Hewlett-Packard Laboratories, AT&T Bell Laboratories, Naval Research Laboratory)

1990-1997 Studio degli effetti dovuti a portatori caldi, dell'affidabilità e del breakdown in transistor ad eterostruttura AlGaAs/GaAs e Si/SiGe, e in BJTs al Si. Sviluppo di modelli per il breakdown e di metodi di misura dei coefficienti di ionizzazione da impatto a bassi campi elettrici. Best paper award di ESSDERC 1993. Con AT&T Bell Labs, IBM T.J. Watson Research Center, CNET France Telecom laboratories.

1990-1997 Misura del coefficiente di ionizzazione da impatto in dispositivi su InP. Evidenza sperimentale del coeff. di temperatura positiva della ionizzazione da impatto in InGaAs lattice-matched su InP. Con AT&T Bell Laboratories

1994-1996 Studio degli effetti da elettroni caldi sui transistor ad effetto di campo su InP e sui charge injection transistors. Con MIT and AT&T Bell Laboratories

1995-2004 Applicazione della spettroscopia di livelli profondi (DLTS) allo studio degli effetti di intrappolamento in HEMT su GaAs e InP. Con Univ. of Bologna, Polytech. of Lausanne

1996-presente Studio degli effetti da elettroni caldi, effetti di intrappolamento e affidabilità di HEMT su InP. Caratterizzazione di varie soluzioni tecnologiche per HEMT InAlAs/InGaAs/InP submicrometrici. Con Hughes Research Laboratories e NTT Photonics Laboratories.

1997-presente Studio di circuiti di protezione da ESD in circuiti integrati CMOS e smart power (con ST Microelectronics). Best paper award ESREF1999.

1999-2000 Studio dell'affidabilità di GaAs HBTs. Con Siemens.

1998-presente Coordinamento delle atività relative allo sviluppo di circuiti integrati CMOS per stimolatori cardiaci impiantabili (pacemakers). Con MEDICO SpA, Padova.

2000-presente Studio degli effetti dovuti a livelli profondi e dell'affdaibilità di GaN MESFETs and HEMTs. Con US Army Laboratories, UCSB, Thales, IEMN Lille, Univ. of Juelich, IMEC, Alenia Marconi Systems

2001-presente Studio dei meccanismi di degradazione dei LED a base di GaN in collaborazione con GELCORE, OSRAM OS

Principali progetti di ricerca nazionali

1986-1989 Progetto MIUR 60% sull'affidabilità dei circuiti VLSI

1989-1995 Vari progetti MIUR, CNR and CNR-MADESS

1998-1999 Progetto MIUR PRIN1998"Caratterizzazione sperimentale dei fattori che limitano la massima potenza DC ed rf di HEMT pseudomorfici e di HEMT su InP e valutazione delle prestazioni e della affidabilità di FET su materiali ad ampio energy gap"

1999-2000 Coordinatore nazionale del progetto ASI "Caratterizzazione e affidabilità di HEMT su InP per applicazioni spaziali"

2000-2001 Coordinatore nazionale del progetto ASI "Caratterizzazione. modeling e affidabilità di dispositivi a microonde ad alta potenza per applicazioni a bordo satellite"

2002-2004 Coordinatore nazionale del Progetto MIUR PRIN2002 "Diodi emettitori di luce (LED) su GaN ad alta intensità ed efficienza per i futuri sistemi di illuminazione a stato solido"
2003-2005 Progetto MIUR PRIN2003 "Studio dell'affidabilità e dei meccanismi di breakdown di dispositivi su nitruro di gallio per sistemi di telecomunicazione a larga banda"

Progetti di ricerca internazionali

1987-1990 Coordinatore europeo del workpackage "Automotive electronics reliability" del progetto europeo EUREKA "PROMETHEUS"

1992-1994 progetto ESPRIT II "Manufacturable power MMIC for microwave system applications" (MANPOWER), responsabile del task "Affidabilità"

1993-1994 progetto Human Capital and Mobility "Study of impact-ionization in Si, Si-Ge, AlGaAs/GaAs BJTs and in lattice-matched and pseudomorphic HEMTs"

1994-1995 progetto CNET France Telecom "Reliability of advanced bipolar transistors"

1996-1998 Coordinatore europeo del progetto SMT ESPRIT III PROPHECY "Procedures for the early phase evaluation of reliability of electronic components by means of CECC rules"

1997-1998 progetto European Research Office of the U.S. Army, "Study of hot electron effects, breakdown and reliability in FETs, HEMTs and HBTs";

1998-1999 progetto European Research Office of the U.S. Army "Pulsed testing of heterostrcture devices";

2001-2002 progetto European Research Office of the U.S. Army "Reliability and breakdown in conventional and wide-band-gap power microwave devices";

2004-2009 Coordinatore del sottoprogetto "Reliability" del progetto "Key Organisation for Research on Integrated Circuits in GaN Technology" (KORRIGAN), finalizzato allo sviluppo di una tecnologia GaN HEMT in Europa.

Il gruppo di ricerca dell'Università di Padova è attivo nel campo della caratterizzazione, modeling, affidabilità, fisica dei meccanismi di guasto di dispositivi elettronici dal 1982, e si occupa dello studio dell'affidabilità di dispositivi su GaN da circa cinque anni, in collaborazione con importanti centri di ricerca, laboratori industriali e Università. L'Univ. Padova ha realizzato un laboratorio dotato di sistemi per il collaudo e la misura di dispositivi elettronici e circuiti integrati, ed equipaggiato con camere climatiche, sistemi di prova vita accelerata, simulatori di scariche elettrostatiche, caratteristigrafi automatici per dispositivi elettronici, capacimetri, sistemi di misura della conduttanza in funzione della frequenza, sistemi di prova impulsiva basati sulla tecnica Transmission Line Pulse. Il laboratorio ha inoltre accesso a numerose tecniche di analisi guasto e caratterizzazione microanalitica: microscopia ad emissione, microscopia a forza atomica, microscopia elettronica in scansione, Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS).